光刻掩模版特征线宽均一性预补偿技术

摘要：

光刻掩模版特征线宽均一性预补偿技术属于微细工程领域，提高光刻掩模版特征线宽均一性。技术要点：1.设计标准版。将光刻掩模版(1)的图形区域(2)划分成大小不等的子区域(3)。每个子区域里(3)设计L形的特征线宽(4)。2.获取特征线宽均一性畸变映射图。测量生产出的标准版上各特征线宽值，得到各处的畸变值，形成畸变映射图。3.预补偿。将集成电路版图分割成对应的多个子图形，对每一个子图形按照所对应的特征线宽均一性畸变映射图子区域(3)的畸变值进行涨缩处理，涨缩值和畸变值相反。再将处理后的子图形拼成完整版图。4.将完整版图按照正常工艺生产。主要用途是提高光刻掩模版特征线宽均一性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710172671.6

申请日期：2007-12-20

公开/公告号：CN101464625

公开/公告日：2009-06-24

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:上海光刻电子科技有限公司%粟鹏义

发明/设计人:粟鹏义

主申请人地址:200233上海市宜山路770号综合楼一楼

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种提高光刻掩模版特征线宽均一性的预补偿技术，其技术要点是：1.设计标准版。将光刻掩模版(1)的图形区域(2)划分成大小不等的子区域(3)。每个子区域里(3)设计L形的特征线宽(4)。2.获取特征线宽均一性畸变映射图。测量生产出的标准版上各特征线宽值，得到各处的畸变值，形成畸变映射图。3.预补偿。将集成电路版图分割成对应的多个子图形，对每一个子图形按照所对应的特征线宽均一性畸变映射图子区域(3)的畸变值进行涨缩处理，涨缩值和畸变值相反。再将处理后的子图形拼成完整版图。4.将完整版图按照正常工艺生产。