制作光掩模版的方法及图案化的方法

摘要：

一种图案化方法，包括：提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连；提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形；依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上。本发明还公开了一种制作光掩模版方法。所述制作光掩模版及图案化的方法能够避免光学邻近修正过度的情况。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710171088.3

申请日期：2007-11-27

公开/公告号：CN101446755

公开/公告日：2009-06-03

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:王谨恒

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:逯长明

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种制作光掩模版的方法，其特征在于，包括：提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连；提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形。