一种检测掩膜版设计规则的方法

摘要：

一种检测掩膜版设计规则的方法，涉及半导体工艺制程领域，包括如下步骤：步骤1，采用自行设计特定的掩膜版，通过光刻区域的光刻胶涂布显影机和曝光机实现掩膜版上图形转移，用检测机台确定不同尺度的图形坍塌缺失在不同厚度下和不同显影槽清洗转速下的工艺窗口；步骤2，确定如光刻胶类型，厚度，显影喷嘴类型，去离子水清洗最高转速之间的最佳工艺窗口；步骤3，综合考虑光刻胶类型，厚度，显影喷嘴类型，去离子水清洗最高转速等因素，确定保持尽可能大的工艺窗口的掩膜版设计，调整现有的工艺参数至最佳。本发明可以改善图形转移失效的情况，提高了效率，节省了人力和物力。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710170618.2

申请日期：2007-11-19

公开/公告号：CN101441403

公开/公告日：2009-05-27

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:郭伟凯;高连花;邹渊渊;梁国亮

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司

代理人:王 洁

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种检测掩膜版设计规则的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1，采用自行设计特定的掩膜版，通过光刻区域的光刻胶涂布显影机和曝光机实现掩膜版上图形转移，用检测机台确定不同尺度的图形坍塌缺失在不同厚度下和不同显影槽清洗转速下的工艺窗口；步骤2，确定如光刻胶类型，厚度，显影喷嘴类型，去离子水清洗最高转速之间的最佳工艺窗口；步骤3，综合考虑光刻胶类型，厚度，显影喷嘴类型，去离子水清洗最高转速等因素，确定保持尽可能大的工艺窗口的掩膜版设计，调整现有的工艺参数至最佳。