光掩模检测方法与在线即时光掩模检测方法

摘要：

本发明公开了一种光掩模检测方法，适用于具有图案区与空白区的光掩模。首先，提供晶片，此晶片是以上述光掩模进行光刻工艺。晶片上有多个曝光区，每一曝光区中有元件图案区，其中每一元件图案区被切割道区包围。且每一元件图案区对应于光掩模的图案区，而切割道区对应于光掩模的空白区。然后，将切割道区划分成多个虚拟图案区。接着，将虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，当虚拟图案区至少其中之一与其他虚拟图案区不完全相叠合，则不完全叠合的虚拟图案区相对应的光掩模上的部分空白区具有光掩模黑影。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710128382.6

申请日期：2007-07-10

公开/公告号：CN101344715

公开/公告日：2009-01-14

主分类号：G03F1/00(2006.01)

申请/专利权人:联华电子股份有限公司

发明/设计人:杨忠彦;张明哲

主申请人地址:中国台湾新竹科学工业园区

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:彭久云%陈小雯

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1.一种光掩模检测方法，适用于光掩模，其中该光掩模具有图案区与空 白区，该方法包括： 提供晶片，该晶片以该光掩模进行光刻工艺，其中该晶片上有多个曝光 区，每一该曝光区中有元件图案区，每一这些元件图案区被切割道区包围， 且每一这些元件图案区对应于该光掩模的该图案区，而该切割道区对应于该 光掩模的该空白区； 将该切割道区划分成多个虚拟图案区；以及 将这些虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，其中当这些虚拟图案区至少 其中之一与其他这些虚拟图案区不完全相叠合，则该不完全叠合的虚拟图案 区相对应的该光掩模上的部分该空白区具有光掩模黑影。