FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

摘要：

本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括玻璃基板和依次形成在玻璃基板上的栅电极、第一绝缘层、有源层、源漏电极层、树脂层、像素电极、第二绝缘层以及间隔状的公共电极。本发明通过将起钝化层作用的树脂层的厚度增加到3μm左右，避免了现有技术钝化层厚度1μm时出现的边缘卷曲和树脂脱落现象，简化了生产制造过程；同时，通过在树脂层以上形成像素电极和公共电极，像素电极和公共电极之间设有厚度约为500的第二绝缘层隔离，因此可以使驱动电压值不变，彻底避免了由于树脂层变厚可能导致公共电极和像素电极之间驱动电压上升的缺陷。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710122167.5

申请日期：2007-09-21

公开/公告号：CN101393363

公开/公告日：2009-03-25

主分类号：G02F1/136(2006.01)I

申请/专利权人:北京京东方光电科技有限公司

发明/设计人:金原奭;柳在一;金秉勳;郝昭慧

主申请人地址:100176北京市经济技术开发区西环中路8号

专利代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人:刘 芳

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1. 一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：玻璃基板；栅电极，形成在玻璃基板上；第一绝缘层，形成在栅电极上并覆盖整个玻璃基板；有源层，形成在栅绝缘层上，并位于栅电极之上；源漏电极层，形成在有源层上；树脂层，形成在源漏电极层上，起钝化层作用并覆盖整个玻璃基板，其上形成过孔；像素电极，形成在树脂层上，通过所述过孔与所述源漏电极层的漏电极连接；第二绝缘层，形成在像素电极上；公共电极，以间隔状设置在绝缘层上。