FFS 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法

摘要：

本发明公开了一种FFS薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：基板，形成在基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义一像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管器件、公共电极、第一层像素电极层和第二层像素电极层；其中，第一层像素电极层和第二层像素电极层之间通过绝缘层隔开；第一层像素电极层与公共电极连接；第二层像素电极层与薄膜晶体管的源漏电极连接；第一层像素电极层和第二层像素电极层的图形为交错排列。本发明同时公开了FFS薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法。本发明的像素结构和制造方法，可提高工艺可控性和可靠性，进而提高产品的成品率；可提高水平电场的产生效率，从而能提升产品的性能。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710120514.0

申请日期：2007-08-21

公开/公告号：CN101373299

公开/公告日：2009-02-25

主分类号：G02F1/1343(2006.01)I

申请/专利权人:北京京东方光电科技有限公司

发明/设计人:赵继刚;闵泰烨;金基用;徐宇博

主申请人地址:100176北京市经济技术开发区西环中路8号

专利代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人:刘 芳

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种FFS薄膜晶体管液晶显示器像素结构，其特征在于，包括：一基板，一栅线和数据线；所述栅线和数据线形成在所述基板上；所述栅线和数据线交叉定义一像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管器件、公共电极、第一层像素电极层和第二层像素电极层；其中，所述第一层像素电极层和第二层像素电极层之间通过绝缘层隔开；所述第一层像素电极层与公共电极连接；所述第二层像素电极层与薄膜晶体管的源漏电极连接；所述第一层像素电极层和第二层像素电极层的图形为交错排列。