半色调掩模板结构及其制造方法

摘要：

本发明公开了一种半色调掩模板结构，包括：基板，形成在基板上的半色调区域和全色调区域，其中在半色调区域和全色调区域交界位置处形成有一过渡区域。该过渡区域直接露出基板的空白区域；或者半色调区域和过渡区域均由形成在基板上的半色调层构成，过渡区域的半色调层厚度较半色调区域的半色调层厚度薄。本发明同时公开了该半色调掩模板结构的制造方法。本发明通过在掩模板的全色调区域和半色调区域交界处的半色调层上面适当的降低半色调层材料的厚度或者去除掉一小部分半色调层，使在此位置的光的透过率增加，以弥补在此区域光的透过率比其他半色调区域的低，以提高整个半色调区域光强的均匀性，从而降低不良的发生。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710120513.6

申请日期：2007-08-21

公开/公告号：CN101373325

公开/公告日：2009-02-25

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:北京京东方光电科技有限公司

发明/设计人:明 星;金基用;周伟峰;郭 建

主申请人地址:100176北京市经济技术开发区西环中路8号

专利代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人:刘 芳

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种半色调掩模板结构，包括：基板，形成在基板上的半色调区域和全色调区域，其特征在于：在所述的半色调区域和全色调区域交界位置处形成有一过渡区域。