光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法

摘要：

一种光刻胶的硅化方法，包括：提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；将曝光后的涂敷有光刻胶的半导体衬底置于反应室中；提供包括硅基有机物的反应物质：使反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶。本发明还提供了一种形成光刻胶掩模图形的方法。本发明所提供的技术方案的优点在于，由于采用硅化工艺对光刻胶掩模作处理，提高了光刻胶的强度，因此可以降低光刻胶的厚度，节约材料成本；因为光刻胶厚度降低，曝光所需的能量相应降低，所以可缩短曝光时间，提高光刻效率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710094552.3

申请日期：2007-12-13

公开/公告号：CN101458460

公开/公告日：2009-06-17

主分类号：G03F7/26(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:崔彰日;李 冬

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:李 丽

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种光刻胶的硅化方法，提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底，其特征在于，包括如下步骤：将曝光后的涂敷有光刻胶的半导体衬底置于反应室中；提供包括下式所示一种或多种硅基有机物的反应物质：其中R1～R4独立的表示选自线性或支化的、至多具有10个碳原子的烷基、硅烷基、亚烷基、亚硅烷基或者胺基；使反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶。