可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法

摘要：

本发明公开了一种可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法，通过用形状为菱形的测量图形来排列成光刻套刻图形，并且使得所述各菱形的长度、宽度和空间周期取得足够小，以使得宏观光学测量不能分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形，而微观光刻则可以分辨出所述光刻套刻图形中的各个菱形；然后，使用光学显微镜来同时完成对光刻曝光条件及光刻套刻精度变化的测量，从而不仅简化了工艺步骤，降低了生产成本，缩短了硅片的生产周期；而且，对于监控曝光条件的监控，不仅能够监控曝光能量的变化，还可监控曝光焦距的变化，从而提高了对曝光条件的在线监控能力。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710094513.3

申请日期：2007-12-14

公开/公告号：CN101458454

公开/公告日：2009-06-17

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华虹NEC电子有限公司

发明/设计人:王 雷;黄 玮

主申请人地址:201206上海市浦东新区川桥路1188号

专利代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司

代理人:周 赤

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种可同时监控光刻曝光条件和套刻精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，将光刻套刻图形设计成由多个形状为菱形的测量图形排列而成，且所述各菱形的长度(21)、宽度(22)和空间周期(23)的取值应满足：宏观光学测量不能分辨出所述光刻套刻图形中的各菱形测量图形，而微观光刻曝光则能够分辨出所述光刻套刻图形中的各菱形测量图形；然后，通过光学显微镜，在光学测量光刻套刻精度的同时，光学测量菱形的长度变化，并根据所述菱形长度的变化确定光刻曝光条件的变化。