制作光掩模版及图形化的方法

摘要：

一种制作光掩模版的方法，包括：测量光掩模版的厚度；将厚度代入高斯函数进行计算，得到厚度系数；用厚度系数补偿光掩模版效应后，进行光学近距修正；将修正后的布局图形转移至光掩模版上，形成掩模版图形。本发明还提供图形化方法。本发明使晶圆上的图形临界尺寸与相应的布局图形临界尺寸的差距得到改善，进而提高半导体器件的质量。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710094459.2

申请日期：2007-12-13

公开/公告号：CN101458444

公开/公告日：2009-06-17

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:刘庆炜

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:李 丽

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种制作光掩模版的方法，其特征在于，包括：测量光掩模版的厚度；将厚度代入高斯函数进行计算，得到厚度系数；用厚度系数补偿光掩模版效应后，进行光学近距修正；将修正后的布局图形转移至光掩模版上，形成掩模版图形。