光掩模版及其制作方法、图形化的方法

摘要：

一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版半导体器件图案和掩模版对准标记图案做在同一光掩模版上，在晶圆半导体器件区域将光掩模版上掩模版半导体器件图案与之对准并曝光，在晶圆对准标记区域将光掩模版上的掩模版对准标记图案与之对准并曝光。简化了光刻步骤，节省了工艺时间及光掩模版材料。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710094458.8

申请日期：2007-12-13

公开/公告号：CN101458443

公开/公告日：2009-06-17

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:肖德元;隋建国;刘 永

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:李 丽

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种光掩模版制作方法，其特征在于，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。