光刻胶掩模图形的显影方法

摘要：

一种光刻胶掩模图形的显影方法，包括：一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀。本发明的优点在于可以提高掩模图形侧壁的平整度，提高光刻工艺的精确度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710094405.6

申请日期：2007-12-07

公开/公告号：CN101452225

公开/公告日：2009-06-10

主分类号：G03F7/36(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:崔彰日

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:逯长明

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀。