光刻显影的方法

摘要：

本发明公开了一种光刻显影的方法，包括在曝光和硬烘，曝光后光刻胶图形的特征尺寸比目标值小；而硬烘时的提高硬烤温度，使得硬烘后的光刻胶图形间隙的特征尺寸控制在目标值范围内。本发明的方法有效避免显影时的光刻胶残留在光刻胶图形间隙中形成光刻胶残留互连，而在硬烘时提高硬烤温度，光刻胶软化使得硬烘后的光刻胶图形的特征尺寸变大而将光刻胶图形间隙的特征尺寸控制在目标值范围内。本发明可广泛用于半导体制造中。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710094285.X

申请日期：2007-11-27

公开/公告号：CN101446765

公开/公告日：2009-06-03

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华虹NEC电子有限公司

发明/设计人:陈华伦;罗 啸;陈雄斌;熊 涛;陈 瑜

主申请人地址:201206上海市浦东新区川桥路1188号

专利代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司

代理人:丁纪铁

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种光刻显影的方法，包括在曝光和硬烘，其特征在于：所述曝光后光刻胶图形的特征尺寸比目标值小；所述硬烘时，将硬烤温度提高至使得硬烘后的光刻胶图形间隙的特征尺寸在目标值范围内。