射频功率放大器电路
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射频功率放大器电路

引用
本发明公开了一种射频功率放大器电路,其包括偏置电路和放大电路,在偏置电路中设计电阻补偿结构,加入补偿电阻。所加入的补偿电阻起到两个作用:1.增加偏置电路的电压补偿作用,降低电路对偏置电压的依赖性;2.增强偏置电路的温度补偿作用。由于偏置电压改变或温度改变而导致NPN管Q4和Q5或者Q7和Q8的电流的变化,由电流变化引起的基极与集电极之间电压V<sub>BE</sub>的变化量能有效地被R<sub>X1</sub>或R<sub>X2</sub>两端的电压降变化量所补偿,从而使电路对偏置电压和温度不敏感。

发明专利

CN200710094091.X

2007-09-20

CN101394152

2009-03-25

H03F3/21(2006.01)I

锐迪科微电子(上海)有限公司

陈 俊;谢利刚

201203上海市浦东新区碧波路690号2号楼302室

上海浦一知识产权代理有限公司

陈 平

上海;31

1. 一种射频功率放大器电路,包括偏置电路和放大电路,所述放大电路包括NPN管Q3,所述NPN管Q3的发射极接地,所述NPN管Q3的基极通过一电容Cin连接输入信号,所述NPN管Q3的集电极连接电源端VCC,同时通过一电容Cout之后作为信号输出端,其特征在于,所述偏置电路包括三个NPN管Q4、Q5和Q6,所述NPN管Q4的集电极通过两个串联连接的电阻R2和补偿电阻RX1连接到电压偏置端VBIAS,所述NPN管Q4的基极连接到所述补偿电阻RX1与电阻R2相连接的一端,所述NPN管Q4的发射极连接到所述NPN管Q5的集电极,所述NPN管Q5的基极连接到其自身的集电极,所述NPN管Q5的发射极接地,所述NPN管Q4的集电极还连接到所述NPN管Q6的基极,所述NPN管Q6的集电极连接到偏置电路电源端VCB,所述NPN管Q6的发射极连接到所述放大电路的NPN管Q3的基极。
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2010-06-02专利申请权、专利权的转移
2009-03-25公开
2010-08-11授权
2009-05-20实质审查的生效
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