一种层次化的光学邻近效应校正方法
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一种层次化的光学邻近效应校正方法

引用
本发明公开的层次化光学邻近效应校正方法,包括预校正单元库的准备,掩模图形偏移量的初始化和利用动态调整算法进行快速运算的步骤,提出了一种在光学邻近效应校正过程中充分利用版图层次化结构的方法,使在深亚微米条件下由于计算量太大而被认为成本很高的高精度掩模版制备过程在新算法的帮助之下可以大大降低运算复杂度,同时使用这种新的方法为集成电路设计过程提供了含预校正结果的单元库,使得设计工程师能够更加灵活有效的对设计进行检查。本发明中提出的方法可用于辅助制造高精度的集成电路掩模版,提高集成电路设计环节中对结果的可预测性,提高OPC校正的运算速度,降低成本,提高集成电路的生产成品率和缩短生产周期。

发明专利

CN200710066941.5

2007-01-26

CN101013271

2007-08-08

G03F7/20(2006.01)I

浙江大学

严晓浪;史 峥;张宇孚

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

杭州求是专利事务所有限公司

韩介梅

浙江;33

1.一种层次化的光学邻近效应校正方法,包括预校正单元库的准备,掩模图形偏移量的初始化和利用动态调整算法进行快速运算,步骤如下:1)初始化:设定光学邻近效应校正的仿真模型,光刻掩模图形,GDSII输入,光刻机的基本参数,λ,NA,σ,其中,λ是光源的波长,NA是光学系统的数值孔径,σ是照明的相干系数;2)准备预校正单元库:采用传统的基于模型的光学邻近效应校正方法,对每一个版图单元进行预校正,将预校正后的图形保存回单元库内,在预校正过程中不考虑每个单元周围环境对其校正结果的影响;3)图形分割和偏移量初始化:先将输入掩模图形的每一条边根据预定义的规则分割为数小段,再对每段的偏移量进行初始化,用预校正单元库中图形的段偏移量替代输入图形中对应段的偏移量,若遇到二者无法对应的情况,则取位置最接近的段设置偏移量;4)动态划分层次化OPC运算中三种不同类型的段:对初始化后的掩模图形进行OPC运算,并依照贪婪算法迭代计算每条边的新偏移量O1,在每个循环结束后与原偏移量O0进行比较,根据设定的阈值Ot将图形动态的划分为三种不同类型的段:(a)稳定段:划分标准为|O1-O0|<Ot(b)不稳定段:划分标准为|O1-O0|≥Ot(c)传播段:设某段到其周围不稳定段的最小距离是Dm,不稳定段的影响范围是Di,则其划分标准为(|O1-O0|<Ot)&amp;&amp;(Dm<Di);5)利用动态调整算法进行快速校正:对第N次迭代后得出的不稳定段和传播段,在第N+1次迭代中按照传统的基于模型的光学邻近效应校正方法重新计算其新位置,对第N次迭代后得出的稳定段,在第N+1次迭代中不用再计算其新位置,每次OPC迭代后根据每条段的新偏移量按步骤4)中a)、b)所述方法重新划分稳定段与不稳定段,然后再根据不稳定段的位置按步骤4)中c)所述方法对传播段进行重新划定,之后进入下一次迭代;6)OPC校正终止条件在每次OPC迭代后,按式(1)计算校正结果的精确度,<math-cwu><![CDATA[<math> <mrow> <mi>Cost</mi> <mo>=</mo> <munder> <mi>&Sigma;</mi> <mi>i</mi> </munder> <msup> <mrow> <mo>|</mo> <mi>EPE</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>|</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> </mrow></math>]]></math-cwu><!--img id="icf0001" file="A2007100669410003C1.gif" wi="181" he="32" img-content="drawing" img-format="tif"/--><math-cwu><![CDATA[<math> <mrow> <mo>=</mo> <munder> <mi>&Sigma;</mi> <mi>i</mi> </munder> <msup> <mrow> <mo>|</mo> <mi>D</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mi>W</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>|</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow></math>]]></math-cwu><!--img id="icf0002" file="A2007100669410003C2.gif" wi="295" he="30" img-content="drawing" img-format="tif"/-->式中EPE为段位置误差,x为每一段上的采样点位置,D表示设计目标的图形轮廓,W表示实际仿真的图形轮廓,求和对输入掩模图形上的所有采样点进行,如果校正精度不满足预定义的要求值Cost0,则按步骤5)继续迭代,若满足要求则终止迭代,得到校正后的掩模结果。
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法律状态详情>>
2008-12-24授权
2007-10-03实质审查的生效
2007-08-08公开
2014-03-26专利权的终止
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