一种包括金属氧化物半导体场效应管的安全电路

摘要：

本发明公开了一种包括金属氧化物半导体场效应管的安全电路，涉及模拟电路设计技术，用以在高压环境中保护用作开关器件的MOSFET工作于一定的电压范围内，而不用担心其击穿问题。本发明所述安全电路包括受保护的MOSFET及其保护电路，其中所述保护电路采用划分电源域的方法来实现分压。所述保护电路包括串联在受保护MOSFET的输入端和恒定低电位点之间的第一、第二分压电路和第一开关电路，及串联在第一、第二分压电路的接点或第二分压电路和第一开关电路接点，与恒定低电位点之间的第三分压电路和第二开关电路。采用本发明所述的安全电路，直接代替目前技术中的高压MOSFET开关器件，简化了电路的设计生产工艺。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710063428.0

申请日期：2007-01-31

公开/公告号：CN101030773

公开/公告日：2007-09-05

主分类号：H03K17/08(2006.01)I

申请/专利权人:北京中星微电子有限公司

发明/设计人:吴 杰

主申请人地址:100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层

专利代理机构:北京安信方达知识产权代理有限公司

代理人:龙 洪%霍育栋

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种包括金属氧化物半导体场效应管的安全电路，包括受保护的金属氧化物半导体场效应管及其保护电路，其特征在于，所述保护电路包括第一分压电路，第二分压电路，第三分压电路，以及第一开关电路和第二开关电路；第一分压电路、第二分压电路与第一开关电路以串联的形式，连接在受保护金属氧化物半导体场效应管的输入端和恒定低电位点之间，第一分压电路和第二分压电路的接点A2与所述受保护的金属氧化物半导体场效应管的栅极相连；第三分压电路的一端与第二分压电路与第一开关电路的接点B2相连，或者与第一分压电路与第二分压电路的接点A2相连；另一端通过接点C2与第二开关电路相连；第一开关电路包括一个控制端和两个连接端，该控制端与控制被保护的金属氧化物半导体场效应管导通的开信号连接，两个连接端的其中一端与接点B2相连，另一端与接点D2相连，该开信号有效时，所述两个连接端导通；第二开关电路包括一个控制端和两个连接端，该控制端与控制被保护的金属氧化物半导体场效应管截止的关信号连接，两个连接端的其中一端与接点C2相连，另一端与接点D2相连，该关信号有效时，所述两个连接端导通；第一开关电路导通时，第二开关电路断开，分压后，接点A2的电压为受保护的金属氧化物半导体场效应管的安全导通电压；第二开关电路导通时，第一开关电路断开，分压后，接点A2的电压为受保护的金属氧化物半导体场效应管的安全截止电压。