一种可提高刻蚀性能的光刻方法

摘要：

本发明提供了一种可提高刻蚀性能的光刻方法，其中，光刻在刻蚀前进行，且光刻在对应的光刻机台中进行，该光刻机台具有用于设定边缘图形实际成像位置偏离其正常成像位置的边缘图形预偏值的设定模块和依照所设定的边缘图形预偏值对晶圆进行光刻的光刻模块。现有技术光刻时边缘图形的实际成像位置与其正常成像位置无偏移，从而无法为后续边缘图形的刻蚀留有偏移裕度而使边缘图形刻蚀不良。本发明的光刻方法先依据刻蚀后的刻蚀图形统计出边缘图形偏离其正常刻蚀成形位置的统计偏移值；再依据该统计偏移值且通过设定模块设定边缘图形预偏值；最后依照该边缘图形预偏值进行光刻。采用本发明可大大改善边缘图形的刻蚀性能，并提高边缘器件的成品率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710047353.7

申请日期：2007-10-24

公开/公告号：CN101419406

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:仇圣棻;孙 鹏;黄永彬

主申请人地址:201203上海市张江路18号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所

代理人:屈 蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种可提高刻蚀性能的光刻方法，其中，光刻在刻蚀前进行，且光刻在对应的光刻机台中进行，该光刻机台具有设定模块和光刻模块，该设定模块用于设定边缘图形实际成像位置偏离其正常成像位置的边缘图形预偏值，该光刻模块依照所设定的边缘图形预偏值对晶圆进行光刻，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)依据刻蚀后的刻蚀图形统计出边缘图形偏离其正常刻蚀成形位置的统计偏移值；(2)依据该统计偏移值且通过设定模块设定边缘图形预偏值；(3)该光刻模块依照该边缘图形预偏值进行光刻。