一种厚膜光刻胶的清洗剂

摘要：

本发明公开了一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、芳基烷基醇和/或其衍生物、醇胺类化合物和聚硅氧烷类缓蚀剂。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，同时对铝和铜等金属和二氧化硅等非金属材料，以及晶片图案具有很低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710045209.X

申请日期：2007-08-23

公开/公告号：CN101373339

公开/公告日：2009-02-25

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:安集微电子（上海）有限公司

发明/设计人:史永涛;彭洪修;刘 兵;曹惠英;曾 浩

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

专利代理机构:上海翰鸿律师事务所

代理人:李佳铭

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种厚膜光刻胶清洗剂，其特征在于含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、芳基烷基醇和/或其衍生物、醇胺类化合物和聚硅氧烷类缓蚀剂。