一种光刻胶清洗剂

摘要：

本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：氢氧化钾、二甲基亚砜、季戊四醇和醇胺。本发明的光刻胶清洗剂可有效除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710044790.3

申请日期：2007-08-10

公开/公告号：CN101364056

公开/公告日：2009-02-11

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:安集微电子（上海）有限公司

发明/设计人:刘 兵;彭洪修;史永涛;曾 浩

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

专利代理机构:上海翰鸿律师事务所

代理人:李佳铭

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种光刻胶清洗剂，其特征在于含有：氢氧化钾、二甲基亚砜、季戊四醇和醇胺。