光学邻近校正的方法

摘要：

本发明涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，在该光学邻近校正的方法中，半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面，其中，包括以下步骤：首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；再对为散焦平面的半导体平面使用用于散焦平面的光学邻近校正模型。采用本发明的光学邻近校正的方法不仅能实现半导体层上的不同区域的光学邻近校正，而且可以补偿由于拓扑效应产生的临界尺寸变化。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710044547.1

申请日期：2007-08-03

公开/公告号：CN101359178

公开/公告日：2009-02-04

主分类号：G03F7/14(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:刘庆炜

主申请人地址:201203上海市张江路18号

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司

代理人:王 洁

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，所述半导体层的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其特征在于，所述方法包括以下步骤：首先使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的最佳聚焦平面进行光学邻近校正；再使用用于散焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的散焦平面进行光学邻近校正。