光刻胶的去除方法

摘要：

一种光刻胶的去除方法，包括：提供硫酸溶液；向所述硫酸溶液中周期性注入双氧水，形成含有硫酸和双氧水的清洗液；将所述清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶上，将该光刻胶去除。该方法能够延长清洗液的使用寿命。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710044341.9

申请日期：2007-07-27

公开/公告号：CN101354542

公开/公告日：2009-01-28

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:刘佑铭

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:逯长明

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：提供硫酸溶液；向所述硫酸溶液中周期性注入双氧水，形成含有硫酸和双氧水的清洗液；将所述清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶上，将该光刻胶去除。