光刻方法

摘要：

本发明公开了一种光刻方法，涉及半导体制造领域。传统的光刻方法获得蚀刻图形的均匀度较差。本发明的光刻方法包括如下步骤：提供待加工晶圆；在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶，且晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同；进行曝光步骤；显影步骤；进行蚀刻步骤；移除剩余的光刻胶。与现有技术相比，本发明可以获得均匀度较好的电路图形，且由于晶圆各个位置图形的失真情况比较一致，方便采用传统方法对如光学趋近校正及曝光机趋近校正等等校正方法，进一步控制蚀刻图形的一致性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710043681.X

申请日期：2007-07-11

公开/公告号：CN101344721

公开/公告日：2009-01-14

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:上海宏力半导体制造有限公司

发明/设计人:周孟兴

主申请人地址:201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司

代理人:王 洁

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种光刻方法，其包括如下步骤：提供待加工晶圆；在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶；进行曝光步骤；显影步骤；进行蚀刻步骤；移除剩余的光刻胶；其特征在于，在镀光刻胶的步骤中，晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同。