包括清洁装置的光刻设备及用于清洁光学元件的方法

摘要：

本发明公开了一种极紫外光刻设备，所述极紫外光刻设备包括极紫外辐射源、光学元件(50)和清洁装置(95)。所述清洁装置(95)包括氢根源(103)以及与所述氢根源(103)连通的流管(104)。清洁装置(95)配置用于提供氢根流(96)，流管(104)设置用于将氢根流(96)提供到光刻设备内的预定位置上，例如用于清洁收集器反射镜(50)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200680050704.3

申请日期：2006-12-01

公开/公告号：CN101356476

公开/公告日：2009-01-28

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

发明/设计人:马登·马力内斯·约翰内斯·威廉姆斯·范荷彭;德克·简·威尔弗雷德·克拉恩德尔

主申请人地址:荷兰维德霍温

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:王文生

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1.一种极紫外光刻设备，所述极紫外设备包括：极紫外辐射源；光学元件；以及清洁装置，所述清洁装置配置用于提供氢根流，其中所述清洁装置包括：氢根源；以及与所述氢根源连通的流管，其中所述流管设置用于将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置处，且被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。