单片LNA支持IC

摘要：

一种低噪声放大器(LNA)，包括：多个FET(F1，F2，F3，F4)，被布置为处理放大器所接收的信号；电源输入端(10)，被布置为用以操作LNA的电能；以及单片支持集成电路(IC)。单片支持IC包括：FET控制电路(2)，被布置为监视并控制每个FET的漏极电流；FET选择电路(3，24，22)，被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的电平，并根据所检测的DC电平向FET控制电路(2)提供FET选择信号。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200680050075.4

申请日期：2006-10-30

公开/公告号：CN101366172

公开/公告日：2009-02-11

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:赛特克斯半导体公司

发明/设计人:戴维·布莱德博瑞

主申请人地址:英国奥尔德姆

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:王波波

国别省市代码:英国;GB

权利要求：

l、一种低噪声放大器(LNA)，包括：多个FET，被布置为处理由放大器接收的信号；电源输入端，被布置为接收用以操作LNA的电能；以及单片支持集成电路(IC)，其中，所述单片支持IC包括：FET控制电路，被布置为监视并控制每个FET的漏极电流；FET选择电路，被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的电平，并根据所检测的DC电平给所述FET控制电路提供FET选择信号，所述FET控制电路响应于所述FET选择信号而禁用所选的多个FET中的两个FET的其中之一；电压调节电路，连接至电源输入端，并适于根据到所述电源输入端的电压信号产生调节后的输出电压；以及负电源发生器电路，连接以接收调节后的输出电压，并被布置为根据调节后的输出电压产生负电源电压，并将所述负电源电压提供给FET控制电路，将所述FET控制电路布置为使用所述负电源电压来给FET提供负栅极驱动电压。