MEMS谐振器、制造这种谐振器的方法以及MEMS振荡器

摘要：

本发明涉及一种MEMS谐振器，其包括可移动元件(48)，所述可移动元件(48)包括具有第一杨氏模量和第一杨氏模量的第一温度系数的第一部分(A)，所述可移动元件(48)还包括具有第二杨氏模量和第二杨氏模量的第二温度系数的第二部分(B)，第二温度系数的符号与第一温度系数的符号至少在该MEMS谐振器的工作条件下是相反的，第一部分(A)的横截面积和第二部分(B)的横截面积是这样的：第一部分(A)的杨氏模量的绝对温度系数与第一部分(A)的横截面积的乘积对第二部分(B)的杨氏模量的绝对温度系数与第二部分(B)的横截面积的乘积的偏离不超过20％，横截面积是局部垂直于可移动元件(48)测得的。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200680048616.X

申请日期：2006-12-18

公开/公告号：CN101346879

公开/公告日：2009-01-14

主分类号：H03H9/02(2006.01)I

申请/专利权人:NXP股份有限公司

发明/设计人:约瑟夫·T·M·范贝克;汉斯-彼得·勒布尔;弗里德里克·W·M·范赫尔门特

主申请人地址:荷兰艾恩德霍芬

专利代理机构:北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人:陈 源%张天舒

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1.一种MEMS谐振器，其包括可移动元件(48)，所述可移动元件(48)包括具有第一杨氏模量和第一杨氏模量的第一温度系数的第一部分(A)，所述可移动元件(48)还包括具有第二杨氏模量和第二杨氏模量的第二温度系数的第二部分(B)，第二温度系数的符号与第一温度系数的符号至少在该MEMS谐振器的工作条件下是相反的，第一部分(A)的横截面积和第二部分(B)的横截面积是这样的：第一部分(A)的杨氏模量的绝对温度系数与第一部分(A)的横截面积的乘积对第二部分(B)的杨氏模量的绝对温度系数与第二部分(B)的横截面积的乘积的偏离不超过20％，横截面积是局部垂直于可移动元件(48)测得的。