DLL电路及具有其的半导体装置

摘要：

将通过ZQ校准结果使延迟量可变的延迟量可变电路(8)插入到DQ复制系统的路径中。使DQ复制系统的路径的延迟量可变，并进行调整，使DQ缓冲系统和DQ复制系统的时序偏差保持固定。ZQ校准结果对应于温度、电压、制造波动而变动，因此通过获得与这些变动对应的延迟量，获得可使偏差保持固定的高精度的DLL电路及具有该DLL电路的半导体装置。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200610136506.0

申请日期：2006-10-24

公开/公告号：CN1956338

公开/公告日：2007-05-02

主分类号：H03L7/08(2006.01)I

申请/专利权人:尔必达存储器株式会社

发明/设计人:藤泽宏树;泷下隆治

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人:陆锦华%李 亚

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

权利要求书1.一种DLL电路，具有包括输出缓冲器的输出缓冲路径、及包括复制输出电路的复制路径，其特征在于，包括延迟量可变电路，其通过对上述输出缓冲器的输出阻抗进行调整的控制信号，来调整上述复制路径的延迟量。