使磁流变流体在磁隙空间中非直线流动的方法及其装置

摘要：

本发明涉及一种使磁流变流体在磁隙空间中非直线流动的方法及其装置，该方法涉及磁流变流体和磁流变流体阻尼器，其特征在于：首先将导磁体30的磁极部分60表面沿轴线方向加工成凹凸式结构；其次将导磁体90的磁极部分70表面沿轴线方向也加工成类似凹凸式结构；再次，将导磁体30的磁极部分60和导磁体90的磁极部分70相互凹对凸式嵌套组成磁隙空间50；最后，使磁流变流体从所述磁隙空间入口52进入所述磁隙空间50，并沿与磁力线方向垂直，在该磁隙空间内非直线流动延伸至磁隙空间出口55。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200610124547.8

申请日期：2006-09-18

公开/公告号：CN101149069

公开/公告日：2008-03-26

主分类号：F15B21/00(2006.01)I

申请/专利权人:吕崇耀

发明/设计人:吕崇耀

主申请人地址:430074湖北省武汉市珞喻路1037号华中科技大学东三区54号602

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

1、使磁流变流体在磁隙空间中非直线流动的方法，该方法涉及磁流变流体和磁流变流体阻尼器，其特征在于：首先将导磁体30的磁极部分60表面沿轴线方向加工成凹凸式结构；其次将导磁体90的磁极部分70表面沿轴线方向也加工成类似凹凸式结构；再次，将导磁体30的磁极部分60和导磁体90的磁极部分70相互凹对凸式嵌套组成磁隙空间50；最后，使磁流变流体从所述磁隙空间入口52进入所述磁隙空间50，并沿与磁力线方向垂直，在该磁隙空间内非直线流动延伸至磁隙空间出口55。