CMOS硅发光二极管驱动电路

摘要：

一种CMOS硅发光二极管驱动电路，其特征在于，包括：一输入阻抗匹配电路；一差分信号放大电路，该差分信号放大电路接收输入阻抗匹配电路的信号，该差分信号放大电路将输入小信号进行放大；一源跟随器电路，该源跟随器电路接收差分信号放大电路的信号，该源跟随器电路起到隔离信号和降低电平的作用；一输出电路，该输出电路与源跟随器电路连接，实现差分输入变单端输出，能为光发射二极管提供足够的电压和电流驱动。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200610011447.4

申请日期：2006-03-08

公开/公告号：CN101034887

公开/公告日：2007-09-12

主分类号：H03K17/72(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

发明/设计人:陈弘达;刘海军;黄北举

主申请人地址:100083北京市海淀区清华东路甲35号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:汤保平

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种CMOS硅发光二极管驱动电路，其特征在于，包括：一输入阻抗匹配电路；一差分信号放大电路，该差分信号放大电路接收输入阻抗匹配电路的信号，该差分信号放大电路将输入小信号进行放大；一源跟随器电路，该源跟随器电路接收差分信号放大电路的信号，该源跟随器电路起到隔离信号和降低电平的作用；一输出电路，该输出电路与源跟随器电路连接，实现差分输入变单端输出，能为光发射二极管提供足够的电压和电流驱动。