半导体处理中控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法和系统

摘要：

在半导体处理中，控制形成在晶片上的结构的临界尺寸是通过以下方式实现的：首先利用显影工具对晶片上膜层顶部的光刻胶进行显影，光刻胶显影是包括显影的温度和时长在内的显影工具工艺变量的函数。在对光刻胶显影之后，利用刻蚀工具对晶片上的膜层执行一个或多个刻蚀步骤。在执行了一个或多个刻蚀步骤之后，利用光学度量工具测量晶片上的多个位置处的结构的临界尺寸。在测量了临界尺寸之后，基于在晶片上的多个位置处测得的结构的临界尺寸调节显影工具工艺变量中的一个或多个。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200580029097.8

申请日期：2005-08-31

公开/公告号：CN101432658

公开/公告日：2009-05-13

主分类号：G03C5/00(2006.01)I

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

发明/设计人:温格·杨;阿兰·诺兰特

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人:李 剑

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1. 一种控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法，包括：a)利用显影工具对晶片上膜层顶部的光刻胶进行显影，所述光刻胶显影是包括显影的温度和时长在内的显影工具工艺变量的函数；b)在a)之后，利用刻蚀工具对所述晶片上的所述膜层执行一个或多个刻蚀步骤；c)在b之后，利用光学度量工具测量所述晶片上的多个位置处的结构的临界尺寸；以及d)基于在所述晶片上的多个位置处测得的结构的临界尺寸调节所述显影工具工艺变量中的一个或多个。