一种可控硅功率放大器

摘要：

本实用新型公开了一种可控硅功率放大器，它是用小功率可控硅直接推动双向大功率可控硅输出大功率的功率放大技术。它包括市电由整流二极管D₁，降压电阻R₁和C₁滤波，D₂稳压所组成的半波整流电路，向“555”电路供电，“555”电路构成多谐振荡器电路，输出时钟脉冲讯号，经D₃单向导流和限流电阻R4输出到小功率可控硅的g极，使得小功率可控硅导通，小功率可控硅又将放大了的讯号由G₁的A极，经限流电阻R₅传输给双向大功率可控硅G₂的g极，使大功率的双向可控硅G₂导通，从而实现了用小功率可控硅G₁直接推动双向大功率可控硅G₂，输出大功率的应用。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200520051921.7

申请日期：2005-09-15

公开/公告号：CN2888747

公开/公告日：2007-04-11

主分类号：H03F3/20(2006.01)I

申请/专利权人:丁炳炎%李富英

发明/设计人:丁炳炎

主申请人地址:410001湖南省长沙市马王堆乡芙蓉苑丙一栋602号

国别省市代码:湖南;43

权利要求：

权利要求书1、一种可控硅功率放大器，包括由半波整流电路向集成电路“555”供电，“555”电路构成多谐振荡器电路输出时钟脉冲讯号，其特征：该时钟脉冲经单向导流二极管D3和限流电阻R4传输到小功率可控硅G1的g极，使得小功率可控硅导通，小功率可控硅又将放大后的讯号，经A极传输到双向大功率可控硅G2的g极使双向大功率可控硅G2导通，从而完成了用小功率可控硅G1直接推动双向大功率可控硅G2输出大功率的应用，双向大功率可控硅G2的M2极必须接地而M1极接火线。