AB类放大器

摘要：

本发明公开了一种移动通信领域中的AB类放大器，包括带有AB类输出级的电压跟随器，和一个辅助放大器，二者并联连接；所述辅助放大器包括N型比较器A101和N型比较器A102，一个偏置电路和一个由PMOS管AMP1和1个NMOS管AMN1构成的输出级，比较器A102的输出端S1与偏置电路的输入端连接；PMOS管AMP1的源极与VDD连接，栅极与比较器A101的输出端S2连接，漏极与NMOS管AMN1的漏极连接；NMOS管AMN1的栅极与偏置电路的输出端S3连接，源极与地连接。采用本发明提出的AB类放大器，不但使放大器具有快速的压摆率，而且降低功耗。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200510098559.3

申请日期：2005-09-02

公开/公告号：CN1925317

公开/公告日：2007-03-07

主分类号：H03F3/20(2006.01)I

申请/专利权人:中兴通讯股份有限公司

发明/设计人:周 莉;吴小晔;许 萍

主申请人地址:518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部

专利代理机构:北京安信方达知识产权代理有限公司

代理人:王 漪%王继长

国别省市代码:广东;44

权利要求：

权利要求书1、一种AB类放大器，包括带有AB类输出级的电压跟随器，其特征在于：还包括一个辅助放大器，所述辅助放大器和带有AB类输出级的电压跟随器并联连接；所述辅助放大器包括N型比较器(A101)和N型比较器(A102)，一个偏置电路和一个由PMOS管(AMP1)和1个NMOS管(AMN1)构成的输出级；比较器(A102)的输出端(S1)与偏置电路的输入端连接；PMOS管(AMP1)的源极与VDD连接，栅极与比较器(A101)的输出端(S2)连接，漏极与NMOS管(AMN1)的漏极连接；NMOS管(AMN1)的栅极与偏置电路的输出端(S3)连接，源极与地连接。