193nm远紫外光刻胶及其制备方法

摘要：

本发明涉及制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm远紫外单束光为曝光光源的光刻胶及其制备方法。它采用3，4-二氢吡喃、顺丁烯二酸酐、甲基丙烯酸特丁酯和甲基丙烯酸甲基金刚酯四种单体同时参与共聚反应，在大分子主链上引入脂环单元、并在侧链上引入新的悬挂基团，形成式I所示结构的成膜树脂。用该成膜树脂制成的光刻胶，不仅在193nm处具有较好的透过性，支持高分辨率，可以实现0.1μm的线宽，而且具有较高的抗干法腐蚀能力，适用于各种干法曝光和浸入曝光工艺，曝光之后膜的抗收缩性能和透气性能，均能满足制作大规模集成电路芯片的严格要求。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200510040224.6

申请日期：2005-05-25

公开/公告号：CN1869814

公开/公告日：2006-11-29

主分类号：G03F7/004(2006.01)I

申请/专利权人:苏州瑞红电子化学品有限公司

发明/设计人:常 磊

主申请人地址:215128江苏省苏州市吴中区苏蠡路81号

专利代理机构:南京苏科专利代理有限责任公司

代理人:姚姣阳%陈忠辉

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

权利要求书1、193nm远紫外光刻胶，包含成膜树脂、感光剂、添加剂和溶剂，其特征在于：所述成膜树脂是含有式I所示大分子结构的聚合物(式I)