PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法

摘要：

本发明提供了一种PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其具体步骤为：1)先用50℃～60℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为15～17MΩ·cm的去离子水，对基片进行清洗；2)在温度为50℃～80℃的温度场中，对基片均匀烘烤；3)在反应溅射室中充入介质气体对上述经处理后的基片进行真空溅射镀膜即成。由于本发明采用直接在基片上溅射介质膜和金属膜，去掉了PET，因此具有很好的吸收近红外线和橙色光的光学特征，色纯度纯正并且膜层的雾度低，对比度高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200510020547.9

申请日期：2005-03-21

公开/公告号：CN1758076

公开/公告日：2006-04-12

主分类号：G02B5/20(2006.01)I

申请/专利权人:四川世创达电子科技有限公司

发明/设计人:梁春林;汤嘉陵;王雨田;张 勇;蒲志勇

主申请人地址:610512四川省成都市新都开发区东区

专利代理机构:成都虹桥专利事务所

代理人:蒲 敏

国别省市代码:四川;51

权利要求：

1、PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其制作方法为：1)先用50℃～60℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为15～17MΩ.CM的去离子水，对基片进行清洗；2)在温度为50℃～80℃的温度场中，对基片均匀烘烤；3)在反应溅射室中充入介质气体对上述经处理后的基片进行真空溅射镀膜即成。