一种促进甲烷氧化菌生长的方法

摘要：

本发明公开了一种促进甲烷氧化菌生长的方法，涉及微生物发酵领域。本发明所提供的促进甲烷氧化菌生长的方法，是在培养基中培养甲烷氧化菌，其中，所述培养基中添加有有机酸。本发明采用向培养基中添加三羧酸循环中有机酸的方式，巧妙地通过对甲烷氧化菌生长代谢流的调控，强化其三羧酸循环过程，促进甲烷氧化菌的生长代谢，从而提高细胞的比生长速率和培养液中细胞密度，细胞密度一般可以达到相同条件下不加有机酸的3～4倍。本发明方法简单，适于进行甲烷氧化菌大规模高密度培养，能达到甲烷生物转化制甲醇的要求，也可用于催化C₁～C₂₀烷烃化合物羟基化和C₂～C₁₀烯烃化合物的环氧化，具有广阔的工业应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200410077987.3

申请日期：2004-09-22

公开/公告号：CN1587382

公开/公告日：2005-03-02

主分类号：C12N1/20

申请/专利权人:清华大学

发明/设计人:罗明芳;吴昊;邢新会

主申请人地址:100084北京市海淀区清华园

专利代理机构:北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人:关畅

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种促进甲烷氧化菌生长的方法，是在培养基中培养甲烷氧化菌，其特征在于：所述培养基中添加有有机酸。