一次扫描两个普通曝光区域的曝光方法

摘要：

本发明属于集成电路制造工艺中的光刻曝光技术领域，具体为一种一次扫描两个普通曝光区域的曝光方法。为了扩展光学光刻技术的最小线宽、延长现有光刻设备的技术使用寿命，在关键层次采用两次曝光技术是非常有吸引力的，但其代价是需要用两块版分别对同一层曝光两次，使曝光时间加倍，机器效率减半，此外还有两次曝光存在对准难的问题。因此两次曝光技术仍然没有为大生产所采用。为了提高两次曝光的效率，本发明提出了一种新的曝光方法，具体是在一次扫描曝光中完成普通曝光时要两次扫描才能完成的两个区域的曝光。新的曝光方法大大提高了两次曝光技术的工作效率，使其接近一次曝光从而能够被用于大生产中，具有广阔的应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200310122903.9

申请日期：2003-12-27

公开/公告号：CN1554988

公开/公告日：2004-12-15

主分类号：G03F7/20

申请/专利权人:上海华虹（集团）有限公司%上海集成电路研发中心有限公司

发明/设计人:姚峰英

主申请人地址:200020上海市淮海中路918号18楼

专利代理机构:上海正旦专利代理有限公司

代理人:滕怀流%陶金龙

国别省市代码:上海;31