X射线光刻对准标记

摘要：

本发明涉及X射线光刻对准技术领域，特别是涉及一种新的应用于X射线光刻对准的标记。本发明的对准标记，由掩模和硅片上的两部分标记组成，其在掩模上由三个正方框组成，在硅片上由六根正交线条构成，其中，三个正方框由小到大依次相套，且共一中心点，标记做在SiN_X薄膜上；六根正交线条，三根为水平方向等距排列，三根为垂直方向等距排列，标记做在硅片衬底上。本发明的对准标记，对于掩模和硅片的形变都有一定的冗余度，其均值作用能够使对准系统更加准确地获得掩模和硅片标记的位置信息，提高光刻对准系统的对准精度。这种标记可以广泛应用在亚微米与深亚微米工艺当中，例如pHEMT，MMIC等器件和电路的制作。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200310120546.2

申请日期：2003-12-12

公开/公告号：CN1627190

公开/公告日：2005-06-15

主分类号：G03F7/20

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:王德强;谢常青;叶甜春

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种X射线光刻对准标记，由掩模和硅片上的两部分标记组成，其特征在于，在掩模上由三个正方框组成，在硅片上由六根正交线条构成，其中，三个正方框由小到大依次相套，且共一中心点，标记做在SiNX薄膜上；六根正交线条，三根为水平方向等距排列，三根为垂直方向等距排列，标记做在硅片衬底上。