伊枯草菌素A及其同系物的产生方法

摘要：

提供了(1)用于通过在培养基中培养能产生伊枯草菌素A及其同系物的芽孢杆菌属微生物产生伊枯草菌素A及其同系物的方法，该培养基包含2％或更大质量百分数的大豆粉或其提取物作为氮源以允许微生物在培养基中以1.5克/升或更大浓度累积伊枯草菌素A及其同系物，(2)通过该方法累积的包含伊枯草菌素A及其同系物的培养物，(3)获自培养物的固体物质和(4)使用培养物或其固体物质的方法。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN03822707.X

申请日期：2003-09-22

公开/公告号：CN1685056

公开/公告日：2005-10-19

主分类号：C12P21/02

申请/专利权人:昭和电工株式会社

发明/设计人:米田正;北国英一;古谷和男

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市中咨律师事务所

代理人:黄革生%刘金辉

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.用于产生伊枯草菌素A及其同系物的方法，其包括在包含2％或更大质量百分数的大豆粉或其提取物的液体培养基中培养具有产生伊枯草菌素A及其同系物的能力的芽孢杆菌属微生物，以使该微生物在培养基中累积1.5克/升或更大浓度的伊枯草菌素A及其同系物。