X射线光刻对准标记图形

摘要：

本发明涉及一套X射线光刻对准标记图形，包括X射线掩模上用于对准的被指定测量图形和半导体基片上用于对准的被指定测量图形。本发明通过采用多线坐标值平均的方法来降低X射线掩模对准标记图形、半导体基片对准标记图形的定位和识别误差，降低X射线光刻的对准误差，提高X射线光刻的对准精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN03148990.7

申请日期：2003-07-03

公开/公告号：CN1567096

公开/公告日：2005-01-19

主分类号：G03F9/00

申请/专利权人:中国科学院微电子中心

发明/设计人:谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵

主申请人地址:100029北京市德胜门外祁家豁子

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:汤保平

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种X射线光刻对准标记图形，其特征在于，包括：一套用于对准的被指定测量图形，该用于对准的被指定测量图形制作在X射线掩模上，该用于对准的被指定测量图形为2-4个大小不等的方框；一套半导体基片的对准标记图形，该半导体基片的对准标记图形制作在用于对准的被指定测量图形的中间，该半导体基片的对准标记图形为井字形或缩小的围棋盘形。