人工栽培的富锗灵芝及其液体栽培方法

摘要：

本发明人工栽培的富锗灵芝，包括有如下成分：锗、钒、铬、镍、铜、锌、砷、锡、锂、铷、钇、锆、镉、锑、钡、金、汞、铅、硅、锰、铁、钴、钼、碘。其富锗灵芝含锗量高达4000ppm以上，并含有丰富的18种氨基酸和高分子灵芝多糖等营养成分，具有50多种包括人体所需的宏观元素和微量元素，其中有人体必需的15种微量元素中的13种和包括对动物的生长和存活具有刺激作用的20种元素中的18种。本发明人工栽培的富锗灵芝为名贵保健品，人人都可食用，味香，无毒，无副作用，能有效提高机体的免疫功能，增强抵抗力，健身强体，延年益寿，抗衰老，美容。本发明采用液体培养基栽培富锗灵芝的方法，其不仅工艺和设备简单，培养时间短，便于工厂化生产，易于管理；而且产品质量高，属于绿色环保产品，且不污染环境。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN03146983.3

申请日期：2003-09-28

公开/公告号：CN1600847

公开/公告日：2005-03-30

主分类号：C12N1/14

申请/专利权人:吴佛煌%吴海青%黄达宏%余德武

发明/设计人:吴佛煌;吴海青;黄达宏;余德武

主申请人地址:510080广东省广州市三育路7号402房

专利代理机构:广州粤高专利代理有限公司

代理人:林丽明

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1、一种人工栽培的富锗灵芝，其特征在于包括有如下成份：1)锗；2)钒铬镍铜锌砷锡。