MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法

摘要：

一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法，属微电子器件制备技术领域，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极1；生长二氧化硅薄膜2；制备凹腔22；溅射铝膜；制备牺牲层5；淀积氮化硅薄膜6；溅射铝膜7；光刻腐蚀孔4；去正胶3和铝膜7；光刻上电极图形8；溅射钛铂金膜；制备钛铂金电极；腐蚀牺牲层5，得空腔体10；脱水干燥，得衰减器芯片12，有制备工艺简单，适于批量生产，产品体积小，性能好等优点，适于用来制备MEMS电可调光衰减器芯片12，继而制得MEMS电可调光衰减器器件，可在波分复用光纤光网络中，用来调整均衡各信道光信号的强弱，还可以用于模拟光纤长距离传输的光功率损耗或检测传输系统的动态范围。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN03128801.4

申请日期：2003-05-26

公开/公告号：CN1487333

公开/公告日：2004-04-07

主分类号：G02F1/015

申请/专利权人:华东师范大学%上海永鼎光电子技术有限公司

发明/设计人:忻佩胜;朱自强;赖宗声;杨震

主申请人地址:200062上海市中山北路3663号

专利代理机构:上海德昭专利事务所

代理人:程宗德

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法；其特征在于，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极1；生长二氧化硅薄膜2；制备凹腔22；溅射铝膜；制备牺牲层5；淀积氮化硅薄膜6；溅射铝膜7；光刻腐蚀孔4；去正胶3和铝膜7；光刻上电极图形8；溅射钛铂金膜；制备钛铂金电极；腐蚀牺牲层5，得空腔体10；脱水干燥，得衰减器芯片12。