光刻用掩模及其制法和光刻设备与器件制法

摘要：

一种反射掩模具有低分辨率结构，该结构被应用于吸收区域来减弱镜面反射中的功率量。该结构可以形成相衬光栅或者漫射器。同样的技术也可应用于光刻设备中其它的吸收体。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN03110769.9

申请日期：2003-03-06

公开/公告号：CN1448784

公开/公告日：2003-10-15

主分类号：G03F1/00

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

发明/设计人:M·F·A·厄尔林斯

主申请人地址:荷兰维尔德霍芬

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:章社杲

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1.一种用在光刻设备中的反射掩模，所述掩模具有相对高反射比区域和相对低反射比区域，这些区域确定具有最小印刷特征尺寸的掩模图案，其特征在于：所述低反射比区域包括具有按比例小于所述最小印刷特征尺寸的结构的一层，使得从所述低反射率区域的镜面反射被减弱。