一种低串扰的N×N光交换结构

摘要：

一种低串扰的N×N光交换结构，由2n级构成，其中n＝log₂N，其特征在于：在第n级与第n+1级中间设置有半导体光放大器“开/关”门，形成第2n+1级；还可以根据具体的需要在任意二级光开关中设置不同数目的半导体光放大器“开/关”门。本实用新型采用重构的扩展Bense光交换结构，它对串扰有更好的限制。在一个N×N的扩展Bense光交换结构中加入半导体光放大器“开/关”门(即SOA gate)，对路由进行等价的变化。本实用新型保留了扩展Bense光交换结构的一些优良的性质如：广义无阻塞性、硬件的最优性等，同时它还对串扰有很好的降低作用。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN02278328.8

申请日期：2002-07-09

公开/公告号：CN2562197

公开/公告日：2003-07-23

主分类号：G02B6/35

申请/专利权人:华中科技大学

发明/设计人:孙军强;李凡龙

主申请人地址:430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

专利代理机构:华中科技大学专利中心

代理人:方放

国别省市代码:湖北(42)

权利要求：

1.一种低串扰的N×N光交换结构，由2n级构成，其中n＝log2N，其特征在于：在上述第n级与第n+1级之间设置有半导体光放大器“开/关”门，形成第2n+1级。