一种光学接近修正方法

摘要：

一种光学接近修正方法(optical proximity correction，OPC)；该方法是先提供一预定的电路图案，接着于一光罩上形成该电路图案，并于该电路图案以外的该光罩表面形成复数个虚设图案(nonprintable dummy pattern)；其中该复数个虚设图案是用来改善该光罩上的图案密度差异以修正光学接近效应，并不会随着微影制程而被转移至半导体芯片表面的光阻层中。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN02126996.3

申请日期：2002-07-30

公开/公告号：CN1472604

公开/公告日：2004-02-04

主分类号：G03F9/00

申请/专利权人:联华电子股份有限公司

发明/设计人:黄俊仁;黄瑞祯;谢昌志

主申请人地址:台湾省新竹市

专利代理机构:北京三友知识产权代理有限公司

代理人:李强

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1.一种光学接近修正方法(optical？proximity？correction，OPC)， 用来降低图案转移制程时的光学接近效应(optical？proximity？effect)， 该方法包含有下列步骤： 提供一光罩； 提供一预定形成于该光罩上的原始光罩图案，且该原始光罩图案中 包含有至少一电路布局图案以及至少一空白区域； 于该空白区域中形成复数个虚设图案(dummy？pattern)，以使该电路 布局图案、该复数个虚设图案以及剩余的该空白区域构成一修正光罩图 案；以及 于该光罩表面形成该修正光罩图案； 其中该电路布局图案的穿透光线(transmitted？light)与该虚设图案 的穿透光线之间具有180°的相位差(phase？difference)。