主动式有机电致发光显示器的制作方法
一种主动式有机电致发光显示器的制作方法。首先用第一道光刻蚀刻工艺将第一金属层形成第一、二扫描线和电容器的下电极，然后依序形成栅极绝缘层、非晶硅层和掺杂非晶硅层。接着用第二道光刻蚀刻工艺将非晶硅层和掺杂多晶硅层形成为第一、二岛状结构，再利用第三道光刻蚀刻工艺将第二扫描线的预定非晶硅TFT元件区域以外的部分栅极绝缘层去除，以形成通孔。接着用第四道光刻蚀刻工艺，将透明导电层定义形成显示区域图案。跟着用第五道光刻蚀刻工艺将第二金属层形成为数据线和电容器的上电极，并于第一、二岛状结构上方分别形成第一、第二开口直至使非晶硅层的表面暴露。最后，用第六道掩膜将覆盖显示区的保护层去除。
发明专利
CN02122734.9
2002-06-07
CN1464339
2003-12-31
G03F7/00
友达光电股份有限公司
李信宏;李国鼎
台湾省新竹市
北京市柳沈律师事务所
李晓舒%魏晓刚
台湾;71
1.一种主动式有机电致发光显示器的制作方法，其包含有下列步骤： 提供一透明绝缘衬底； 于该透明绝缘衬底上形成一第一金属层，并利用第一道光刻蚀刻工艺 将该第一金属层定义形成一沿X方向延伸的第一扫描线、一电容器的下电 极以及一沿X方向延伸的第二扫描线的图形； 依序于该透明绝缘衬底的整个表面上形成一栅极绝缘层、一非晶硅层 以及一掺杂非晶硅层； 利用第二道光刻蚀刻工艺，将该第一、第二扫描线的预定非晶硅TFT 元件区域内的该非晶硅层以及该掺杂非晶硅层定义形成一第一、第二岛状 结构，并将该第二扫描线的预定非晶硅TFT元件区域以外的该非晶硅层以 及该掺杂非晶硅层去除； 利用第三道光刻蚀刻工艺，将该第二扫描线的预定非晶硅TFT元件区 域以外的部分该栅极绝缘层去除，以形成一通孔； 于该透明绝缘衬底的整个表面上形成一透明导电层，并利用第四道光 刻蚀刻工艺，将该透明导电层定义形成一显示区域的图案； 于该透明绝缘衬底的整个表面上形成一第二金属层，并利用第五道光 刻蚀刻工艺使该第二金属层定义形成一沿Y方向延伸的数据线以及一电容 器的上电极，并使该第二金属层覆盖第一、第二岛状结构，其中该第一、 第二岛状结构上方分别形成一第一、第二开口直至使该非晶硅层的表面暴 露，其中该开口可使该第二金属层区分成一源/漏极区，使该掺杂非晶硅层 区分成一源/漏极扩散区；以及 于该透明绝缘衬底的整个表面上形成一保护层，并利用第六道掩膜将 覆盖住该显示区域的该保护层去除。