使曝光和测量人工痕迹最小的参考校准片布置

摘要：

按照曝光量序列在照相材料上产生的参考校准片，把呈现主要方向上的线状缺陷的照相材料安排成二维阵列，并向所述阵列中的参考校准片指定曝光量，使得在主要方向上最靠近的相邻者在所述曝光量序列中不是最靠近的，从而减小线状缺陷的影响；并且参考校准片和在任何方向上与其最靠近的相邻者之间在所述曝光量序列中的最大级数少于预定数量，从而降低闪光的影响。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN01125204.9

申请日期：2001-08-09

公开/公告号：CN1337596

公开/公告日：2002-02-27

主分类号：G03B27/72

申请/专利权人:伊斯曼柯达公司

发明/设计人:J·T·基奇;D·O·比格罗;N·D·卡希尔;T·F·鲍尔斯;J·P·斯彭斯

主申请人地址:美国纽约州

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:吴增勇%陈景峻

国别省市代码:美国;US

权利要求：

权利要求书1.一种照相材料，所述照相材料在主要方向上呈现线状缺陷，它包括：a)基底；b)所述基底上的感光层；以及c)在所述感光层上按照曝光序列产生的多个参考校准片的潜像，所述参考校准片被安排成二维阵列，其中在所述主要方向上最靠近的相邻者不是在所述曝光量序列中最靠近的相邻者，并且参考校准片和在任何方向上与其最靠近的相邻者之间在所述曝光量序列中的最大级数少于预定数量。