不受偏振影响的半导体光放大器

摘要：

公开一种光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器，其具有衬底和包括形成于衬底上的有源层的多层结构的晶体生长层。在该光放大器中，有源层被分成具有不同偏振模的第一区和第二区。各电极装置独立地将电流加至第一区和第二区。因此，不受偏振影响的半导体光放大器能够分开控制TE和TM偏振增益以便基本平衡TE偏振增益与TM偏振增益。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN01111657.9

申请日期：2001-03-12

公开/公告号：CN1313523

公开/公告日：2001-09-19

主分类号：G02F1/39

申请/专利权人:三星电子株式会社

发明/设计人:金钟烈;沈钟寅

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:吴增勇%傅康

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

权利要求书1．在光放大部件中的不受偏振影响的半导体光放大器具有衬底和形成于衬底上的含有有源层的多层结构晶体生长层，所述光学放大器包括：所述分成具有不同偏振模的第一区和第二区的有源层；以及独立地将电流加至所述第一区和第二区的电极装置。