一种在蚀刻过程中非破坏性测量侧向蚀刻宽度的方法

摘要：

本发明是在半导体的蚀刻过程中，使用一种对底部侧向蚀刻的宽度作量测与监控的方法，因为目前半导体蚀刻后的线宽测量方法无法非破坏的决定其底部线宽在蚀刻过程后到底线宽有多少，也就是决定其有效临界尺寸，而透过本发明所提供的方法，即可量测到半导体层真正在蚀刻过程后的宽度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN01110173.3

申请日期：2001-03-28

公开/公告号：CN1376948

公开/公告日：2002-10-30

主分类号：G03F7/09

申请/专利权人:矽统科技股份有限公司

发明/设计人:陈宏杰;陈俊彦

主申请人地址:台湾新竹科学工业园区新竹县研新一路16号

专利代理机构:北京银龙专利代理有限公司

代理人:皋吉甫

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

权利要求书1.一种在蚀刻过程中非破坏性测量侧向蚀刻宽度的方法，包括下列步骤：一氧化物线性图案形成步骤，是在一基板上预先沉积(Deposition)一氧化物的线性图案，测量并控制该氧化物线性图案层的高度为b；一微影步骤，是在其所欲形成的沉积层图案的表面上形成一光阻层，作为在蚀刻过程中的罩幕用；一主要蚀刻步骤，是以该微影步骤中所形成的光阻层作为罩幕，蚀刻该沉积步骤中所形成的沉积层，以形成一沉积层图案，且于该氧化物线性图案的侧壁形成间隙壁，测量该间隙壁的宽度为c；一侧向蚀刻的蚀刻步骤，是继续蚀刻该沉积步骤中所形成的沉积层，如此在该沉积层的侧壁底部，将形成侧向蚀刻，同时在氧化物线性图案侧壁的间隙壁末端，将可能被垂直的蚀刻掉，所剩余的间隙壁宽度为d，光阻去除后测量沉积上端宽度e；一闸极有效通道长度的决定步骤，是利用以上各步骤中所测量得知的数据，根据a＝e-2(c-d)的关系决定真正与基板接处的材料层的宽度a与面积。