TFT阵列基板及其制造方法以及使用它的液晶显示装置

摘要：

提供可用两个或三个光掩模制作的TFT阵列基板结构。为此在具有象素电极(14’)和TFT(16)的TFT阵列基板中，上述TFT包含：在绝缘性基板(1)上堆积的硅半导体膜、在上述硅半导体膜的沟道区上形成的栅绝缘膜(4’)、在上述栅绝缘膜(4’)上形成的栅极(5’)、覆盖上述栅极(5’)的表面的栅极金属氧化膜(7)、作为上述栅极金属氧化膜(7)上面的互相分离的电极且覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少源区侧的侧面和源区的源极(12)、以及以覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少漏区侧的侧面和漏区的方式形成的漏极(13)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN00804193.8

申请日期：2000-12-21

公开/公告号：CN1341231

公开/公告日：2002-03-20

主分类号：G02F1/1368

申请/专利权人:松下电器产业株式会社

发明/设计人:小川一文

主申请人地址:日本大阪府

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:王以平

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

权利要求书1.一种顶栅(top gate)型TFT阵列基板，是在绝缘性基板(1)上以矩阵状形成有象素电极(14’)和驱动象素电极的TFT(16)的顶栅型TFT阵列基板，其特征在于：上述TFT包含：在绝缘性基板(1)上堆积的硅半导体膜、在上述硅半导体膜的沟道区上形成的栅绝缘膜(4’)、在上述栅绝缘膜(4’)上形成的栅极(5’)、覆盖上述栅极(5’)的表面的栅极金属氧化膜(7)、作为上述栅极金属氧化膜(7)上面的互相分离的电极且覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少源区侧的侧面和源区的源极(12)、以及以覆盖上述栅极金属氧化膜(7)的至少漏区侧的侧面和漏区的方式形成的漏极(13)；上述象素电极(14’)在基板的形成了上述TFT(16)以外的部位形成，且通过上述漏极(13)与上述硅半导体膜的漏区电连接。