光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法

摘要：

一种光电及半导体或光电元件制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其包含以下步骤：1)半承载至少一片以上表面具有聚亚醯胺膜层的处理物的载具移送至浸泡槽中，该浸泡槽内盛装有适量能对聚亚醯胺膜层松脱或剥除或蚀刻反应的化学混合溶剂，以对多片处理物同时进行除膜处理；2)以反应后的处理物再移送至冲洗槽以清洗液进行清洗，将处理物表面残留溶剂予以清除；3)再以清洗液进行二次清洗处理，将处理物表面残留物质清除洁净；4)以清洗完成后处理物进行烘干或吹干处理，将处理物表面上水气予以干燥，以实现处理物表面聚亚醯胺膜层完全剥除。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN00129767.8

申请日期：2000-10-11

公开/公告号：CN1347013

公开/公告日：2002-05-01

主分类号：G03F7/42

申请/专利权人:磐达股份有限公司

发明/设计人:徐∴仁

主申请人地址:中国台湾

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:朱黎光%汤保平

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

权利要求书1、一种光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其特征在于包含以下步骤：1)将承载至少一片以上表面具有聚亚醯胺膜层的处理物的载具移送至浸泡槽中，该浸泡槽内盛装有适量能对聚亚醯胺膜层松脱或剥除或蚀刻反应的化学混合溶剂，以对多片处理物同时进行除膜处理；2)以反应后的处理物再移送至冲洗槽以清洗液进行清洗，将处理物表面残留溶剂予以清除；3)再以清洗液进行二次清洗处理，将处理物表面残留物质清除洁净；4)以清洗完成后处理物进行烘干或吹干处理，将处理物表面上水气予以干燥，以实现处理物表面聚亚醯胺膜层完全剥除。