AlN-TiB2复相导电陶瓷的制备及性能研究

摘要：

以微米AlN、微米TiB2以及纳米SiC为主要原料，以微米Y2o3和微米Al2o3为添加剂，采用真空N2气氛保护热压烧结工艺制备了AlN-TiB2复相导电陶瓷材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、硬度值以及导电性能。结果表明，当微米AlN添加量为55wt%，微米TiB2为20wt%，纳米SiC为20wt%，微米Y2o3为3wt%以及微米Al2o3为2wt%时，且烧结温度为1880℃时，所制备的AlN-TiB2复相导电陶瓷材料性能最佳，其相对密度为94.45%，弯曲强度为512.35MPa，洛氏硬度为104.25，电阻率值为1526μΩ.cm。

关键词：微米AlN、热压烧结、力学性能、导电性能、固溶强化

分类号：TP211(自动化技术及设备)

资助基金：河南省教育厅自然科学研究项目2011C460001

在线出版日期：2015-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-139,143